純硅模具介紹

在微流控芯片的加工過程中，除了使用SU8實(shí)惠的模具，還需要高精度的純硅模具。一般在以下情況我們會(huì)選擇加工純硅模具：1、需要比SU-8模具更高的深寬比；2、模具的加工精度誤差在1μm以內(nèi)。

加工純硅模具須用到掩膜，因?yàn)槟＞呤歉呔鹊模匝谀け仨氝x擇誤差在0.5μm以內(nèi)的鉻板掩膜。加工鉻版掩膜需要客戶提供CAD圖紙，或者提供草圖及需求由汶顥來繪制設(shè)計(jì)。

汶顥股份純硅模具的刻蝕主要是干法刻蝕機(jī)，首先基地上做好鉻層保護(hù)，然后同樣利用光刻工藝實(shí)現(xiàn)圖案化做出想要結(jié)構(gòu)，最后在刻蝕機(jī)臺(tái)中進(jìn)行干法刻蝕。刻蝕深度與寬度誤差在1μm以內(nèi)，模具最小寬度2μm，最大深寬比可以實(shí)現(xiàn)20:1。

純硅模具也可以實(shí)現(xiàn)多層深度結(jié)構(gòu)，按照上述流程加工多塊掩膜圖案，多次重復(fù)刻蝕即可出來多層深度的結(jié)構(gòu)。雙層模具對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)有兩種高度，三層模具對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)就是三種高度。高度層數(shù)越多加工難度越大。對(duì)于多層高度模具，第一層高度控制在20μm以內(nèi)；第二層高度控制在100μm以內(nèi)，深寬比控制在5:1以內(nèi)。

純硅模具及內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下案例

鉻版掩膜案例