刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本知道工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。對于芯片刻蝕來說，刻蝕被分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩種。

干法刻蝕技術是利用等離子體激活的化學反應或者是利用高能離子束轟擊去除物質的方法。

干法刻蝕特點

各向異性，縱向的刻蝕速率遠大于橫向的刻蝕速率；

離子對光刻膠和無保護的薄膜同時進行刻蝕，選擇性比濕法腐蝕差。

干法刻蝕的分類

1、等離子體刻蝕：利用輝光放電產(chǎn)生的活性粒子與需要刻蝕的材料發(fā)生化學反應形成揮發(fā)性產(chǎn)物完成刻蝕。

具有比較好的選擇性，各向異性相對較差。

      2、濺射刻蝕：高能離子轟擊需要刻蝕的材料表面，通過濺射的物理過程完成刻蝕。

具有比較好的各向異性，但選擇性相對較差。

      3、反應離子刻蝕：介于濺射刻蝕與等離子刻蝕之間的刻蝕技術，桐樹利用了物理濺射和化學反應的刻蝕機制。

可以靈活地選取工作條件以求獲得最佳的刻蝕效果，同時具有較好的選擇性和各向異性。