微流控芯片鍵合方法主要有三種：熱鍵合、陽極鍵合、低溫鍵合。

無論采用何種鍵合方式，基片在鍵合前均需進(jìn)行嚴(yán)格的清洗。原因：刻蝕后玻璃基片表面會(huì)殘留較多的有機(jī)物和無機(jī)顆粒、塵埃等，直接造成表面的平整出現(xiàn)不均勻，粗糙度不一致，在鍵合時(shí)導(dǎo)致結(jié)合界面產(chǎn)生衍射紋，不能緊密貼合而導(dǎo)致鍵合失敗。因此，芯片鍵合能否成功的關(guān)鍵在于芯片表面的潔凈度和平整度。

針對(duì)玻璃表面存在的物質(zhì)，清洗試劑也不同。有機(jī)試劑如甲醇、乙醇和丙醇等用來清除表面的光膠殘余和碎玻璃，超純水用來沖走表面的塵埃和其他試劑，硫酸類氧化性酸或H₂O₂用來去除表面的有機(jī)物等。

一、熱鍵合

     熱鍵合是玻璃芯片鍵合中最常用的一種方法。含二氧化硅材料之間的熱鍵合也稱為硅熔鍵合。將貼合在一起的基片放在高溫爐中加熱到100—1000℃后退火，界面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使兩塊基片牢固地鍵合在一起。

玻璃和石英材料的微流控芯片一般使用熱鍵合方法封合。

熱鍵合的缺點(diǎn)在于不能用于裝有溫度敏感試劑、電極和波導(dǎo)管的芯片，也不能用于不同熱膨脹系數(shù)材料的封接；可能發(fā)生的通道變形，甚至塌陷的現(xiàn)象，成品率低。

二、陽極鍵合

     陽極鍵合是一種比較簡(jiǎn)單而有效的永久性封接玻璃片和硅片的鍵合方法，首先被用于含鈉玻璃片和硅片的鍵合。在玻璃片和硅片上施加500~1500V高壓，玻璃片接負(fù)極，硅片接正極，當(dāng)溫度升高到200~500℃時(shí)，玻璃片中鈉離子從玻璃-硅界面向陰極移動(dòng)，在界面的玻璃一側(cè)產(chǎn)生負(fù)電荷，硅片一側(cè)形成正電荷，正負(fù)電荷通過靜電引力結(jié)合在一起，促使玻璃片和硅片間的化學(xué)鍵合。

在玻璃表面沉積上一層薄膜材料如多晶硅、氮化硅等作為中間層，在約700V的電場(chǎng)下，升溫到400℃時(shí)，可使兩塊玻璃片結(jié)合。

實(shí)驗(yàn)中使用普通的3mm厚的平板玻璃，不加電場(chǎng)時(shí)，620℃烘烤半小時(shí)，可使玻璃軟化并融合在一起。500℃時(shí)，500—760伏電場(chǎng)下，可使其鍵合。

三、低溫鍵合

    低溫鍵合是相對(duì)高溫鍵合而言的，通常指在100℃以下甚至溫室下進(jìn)行的芯片鍵合。因?yàn)楦邷劓I合存在種種不利因素，促使許多研究人員開始進(jìn)行玻璃芯片低溫或溫室鍵合技術(shù)的研究。