光刻膠指光照后能具有抗蝕能力的高分子化合物，用于半導體基件表面產(chǎn)生電路的形狀。其配方通常是一個復雜的體系，主要包括感光物質、樹脂和一些其他利于使用的材料和穩(wěn)定劑、阻聚劑、粘度控制劑、染料、增塑劑和化學增溶劑等。

當光刻暴露在光源或者是紫外輻照源條件下時，其溶解度發(fā)生了變化：負型光刻蝕劑變?yōu)椴蝗埽凸饪棠z變?yōu)榭扇堋４蠖鄶?shù)負型光刻蝕劑可以歸為兩種類型，一種是二元體系：大量的聚異戊二烯樹脂和疊氮感光化合物；另外一種是一元體系：縮水甘油甲基丙烯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛樹脂和重氮萘醌感光物質的基礎上的。使用248nm曝光波長要求光刻膠使用乙酰氧基苯乙烯單體。通過4-乙酰氧基苯乙烯單體的自由基聚合，醋酸酯選擇性地轉換成酚醛，以及將其與其他反應性單體的化合物，可以制備出許多用于遠紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm曝光波長時是相對透明的。預計未來幾年，使用聚羥基苯乙烯樹脂的化學增幅抗蝕劑將成為主流。遠紫外光刻膠也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。

通常說來，感光化合物例如二芳基疊氮和重氮萘醌是易爆化學制品。所以，光刻膠的生產(chǎn)商一定要足夠小心以防爆炸。目前用于負型光刻膠的有機溶劑和顯影液對環(huán)境具有危害性，以致人們傾向于使用正型光刻膠。并且，其發(fā)展趨勢是替換掉具有危害的溶劑，而選用對環(huán)境無污染的無毒產(chǎn)品。在低密度遠紫外輻照和其他替代i線和g線輻照源發(fā)展大趨勢的刺激下，化學增幅抗蝕劑成為一個發(fā)展快速的熱點領域。在化學增幅抗蝕劑領域，由于輻照源的匱乏，勢必導致一種催化的東西產(chǎn)生，通常為中子源。在曝光的加熱處理后，催化劑會引起樹脂中組分發(fā)生復雜反應，這種反應將最終產(chǎn)生光刻圖案。目前正型光刻膠體系和負型光刻膠體系都有了較好的發(fā)展。

      有些抗蝕體系含有多層成分，例如在基層和抗蝕劑之間含有一種膠粘劑促進劑或者是最上層含有一層襯度增強層以保證其圖形的精細特征。顯影劑和剝離液的選擇取決于抗蝕劑的化學性質和具體工藝流程。負型光刻膠體系的顯影劑通常是堿水溶液或者液體有機堿，如四甲基氫氧化銨。剝離液通常是強氧化劑，如過氧化物的酸性溶液，還有另外一種氯剝離液也被應用。目前，使用氧等離子進行剝離的工藝越來越多，但是應該注意其輻射危害。